Er samlere og emitterterminaler i en transistor udskiftelige? Hvis ikke, hvad er den fysiske forskel mellem emitter og samler?


Svar 1:

Lånt fra:

http: //www.nptel.ac.in/courses/1 ...

Biploar transistor:

En transistor er dybest set en Si- eller Ge-krystal, der indeholder tre separate regioner. Det kan være enten NPN eller PNP type fig. 1. Det midterste område kaldes basen, og de ydre to regioner kaldes emitter og samleren. De ydre lag er skønt de er af samme type, men deres funktioner kan ikke ændres. De har forskellige fysiske og elektriske egenskaber. I de fleste transistorer er emitter kraftigt doteret. Dets job er at udsende eller injicere elektroner i basen. Disse baser er let doteret og meget tynde, det overfører de fleste af de emitterindsprøjtede elektroner videre til samleren. Dopingniveauet for samleren er mellemliggende mellem den tunge doping af emitteren og den lette doping af basisen. Samleren er så navngivet, fordi den samler elektroner fra basen. Samleren er den største af de tre regioner; det skal lede mere varme end emitteren eller basen. Transistoren har to kryds. Den ene mellem emitteren og basen og den anden mellem basen og samleren. På grund af dette ligner transistoren to dioder, en emitterdiode og anden samlerbasisdiode.

Fig

Når der laves transistor, frembringer diffusionen af ​​frie elektroner over krydset to depleteringslag. For hvert af disse udtømmingslag er spærringspotentialet 0,7 V for Si-transistor og 0,3 V for Ge-transistor. Udtømmingslagene har ikke den samme bredde, fordi forskellige regioner har forskellige dopingniveauer. Jo mere tungt doteret et område er, jo større er koncentrationen af ​​ioner nær krydset. Dette betyder, at udtømmingslaget trænger dybere ned i basen og lidt ind i emitteren. Tilsvarende trænger det mere ind i samleren. Tykkelsen af ​​det kollektive udtømmingslag er stor, medens basisudtømmingslaget er lille som vist i fig. 2.

Fig


Svar 2:

De vil have forskellige dopingegenskaber. Måske vigtigere er, at opsamleren spreder mere af affaldsvarmen og har derfor en lavere termisk modstandsvej til sagen. Hvis jeg husker korrekt fra min halvlederleder elektronisk enhedskurs for 30 år siden, er der fysiske forskelle i størrelsen på basernes emitterforbindelse i modsætning til basissamlerforbindelsen.

Jeg tror, ​​at transistoren vil virke vendt, men ikke godt. Hvis du virkelig var nysgerrig, kunne du altid tage to små signaltransistorer og generere kurver til dem begge. Vend derefter en af ​​dem, og kør endnu et sæt kurver. Min forudsigelse er, at den omvendte transistor har lavere forstærkning og mere lækage samt et større, måske permenant, skift i egenskaber med varme.


Svar 3:

De vil have forskellige dopingegenskaber. Måske vigtigere er, at opsamleren spreder mere af affaldsvarmen og har derfor en lavere termisk modstandsvej til sagen. Hvis jeg husker korrekt fra min halvlederleder elektronisk enhedskurs for 30 år siden, er der fysiske forskelle i størrelsen på basernes emitterforbindelse i modsætning til basissamlerforbindelsen.

Jeg tror, ​​at transistoren vil virke vendt, men ikke godt. Hvis du virkelig var nysgerrig, kunne du altid tage to små signaltransistorer og generere kurver til dem begge. Vend derefter en af ​​dem, og kør endnu et sæt kurver. Min forudsigelse er, at den omvendte transistor har lavere forstærkning og mere lækage samt et større, måske permenant, skift i egenskaber med varme.